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LPCVD 鍍膜機(jī)

LPCVD 鍍膜機(jī)

產(chǎn)品特點(diǎn) 1.成熱的高產(chǎn)能工藝、雙模溫度控制技術(shù)、薄膜硅保護(hù)技術(shù):
2.具備多種鍍膜技術(shù):多層復(fù)合膜,摻雜多晶硅技術(shù);
3.專利快速降溫爐體:最新專利技術(shù)使?fàn)t體溫度快速降到所需溫度,降溫速率提升25%以上,明顯提升爐管內(nèi)溫度均勻性;
4.快速自適應(yīng)壓力閉環(huán)控制技術(shù);
5.架構(gòu)完整,性能突出的MES/CCRM系統(tǒng);
6.一體化工控機(jī)+模塊化工藝控制軟件;
7.全面的停電安全處理和法蘭水異常保護(hù)。

產(chǎn)品應(yīng)用

適用于半導(dǎo)體和光伏領(lǐng)域,針對(duì)于光伏領(lǐng)域TOPCon工藝電池,LPCVD設(shè)備可一站式完成隧穿氧化層/Poly層的制備。熱氧和淀積Poly層兩個(gè)工藝合二為一能夠大幅度提高產(chǎn)能,同時(shí)兼容i/d -Poly生長(zhǎng)工藝。

產(chǎn)品參數(shù)

    項(xiàng)目

 技術(shù)指標(biāo)

成膜種類

SiOx, i/d-Poly-Si

裝片尺寸

垂直裝片方式:2880片/批(182mm),2200片/批(210mm)

膜厚均勻性

Si0x均勻性:厚度1-3nm可調(diào),精度0.1nm,用拋光片測(cè)試SiOx厚度;
  Poly均勻性:厚度50-200nm可調(diào),精度1nm,用拋光片測(cè)試Poly厚度,片內(nèi):≤4%,;片間≤4%;批間≤3%(>100nm時(shí))

UP-TIME

≥95%

                             工作溫度范圍                              

400-750

溫度控制

6點(diǎn)控溫,內(nèi)外雙模控制

                                   升溫方式                                 

自動(dòng)斜率升溫及快速恒溫功能

降溫方式

最新專利技術(shù),6溫區(qū)分段控制主動(dòng)降溫爐體

                     恒溫區(qū)精度及長(zhǎng)度                         

±1℃/2800mm(550-700℃)

單點(diǎn)溫度穩(wěn)定度

1±℃/6H

升溫時(shí)間

RT→750℃≤45min

降溫速率

≥5℃/min

                                   溫度控制                                     

雙模精確控制

 系統(tǒng)極限真空度

<3Pa

    系統(tǒng)漏氣率      

停泵關(guān)閥后壓力升率<2Pa/min

壓力控制方式

快速調(diào)整全自動(dòng)閉環(huán)

                         工藝控制式                       

工藝過程全自動(dòng)控制,多重安全連鎖報(bào)警

人機(jī)交互界面

LCD顯示、觸摸操作、工藝編輯、在線監(jiān)控、權(quán)限管理、班組管理、組網(wǎng)功能

MES/CCRM

具有


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