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PECVD

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產(chǎn)品特點 1.成熟的高產(chǎn)能工藝、雙模溫度控制技術、薄膜硅保護技術;
2.石墨舟電極技術:前電極面接觸,可定期更換清洗電極塊,尾電極爐管外可調,加大電極尺寸及優(yōu)化電極材料,良好解決高頻報警問題;
3.快速降溫爐體:最新專利技術使爐體溫度快速降到所需溫度,降溫速率提升25%以上,明顯提升爐管內溫度均勻性;
4.專利儲舟位并行散熱方式:提升降溫效果,縮短降溫時間15%以上,同時避開底部從操作臺前面進氣,提高操作臺內部潔凈度;
5.快速自適應壓力閉環(huán)控制技術;
6.等離子放電場檢測技術;
7.裝卸片防撞舟技術;
8.一體化工控機+模塊化工藝控制軟件;
9.全面的停電安全處理和法蘭水異常保護。

產(chǎn)品應用

在硅片表面淀積一層厚度約為75-140nm的減反射氮化硅膜(SixNy),同時利用在淀積過程中產(chǎn)生的活性H+離子,對硅片表面和內部進行鈍化處理。在體現(xiàn)減少光反射的同時,也提高了硅片的少子壽命,最終直接體現(xiàn)在晶體硅電池的轉換效率,主要用在PERC/TOPCon電池正背面氮化硅膜生長。

產(chǎn)品參數(shù)

項目技術指標
成膜種類AlO,SiO,SiON,SiN,SiC
裝片量768片/批(182mm),616片/批(210mm),500片/批(230mm)
氧化鋁膜厚均勻性片內≤6%片間≤6%批間≤5%(182片)
氧化鋁折射率1.65(±0.05)
UP-TIME≥98%
工作溫度范圍100~600℃
溫度控制9點控溫,內外雙??刂?/span>
升溫方式自動斜率升溫及快速恒溫功能
降溫方式最新專利技術,9溫區(qū)分段控制主動降溫爐體
恒溫區(qū)精度及長度±2°C/3200mm(500°C)
單點溫度穩(wěn)定度<±1°C/4h(500°C)
升溫時間RT→450℃≤45min
溫度控制雙模精確控制
系統(tǒng)極限真空度<3Pa
系統(tǒng)漏氣率停泵關閥后壓力升率<1Pa/min
壓力控制方式快速調整全自動閉環(huán)
工藝控制方式工藝過程全自動控制,多重安全連鎖報警
人機交互界面LCD顯示、觸摸操作、工藝編輯、在線監(jiān)控、權限管理、班組管理、組網(wǎng)功能
MES/CCRM具有


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